2023年10月16日 · 碳化硅（SiC）半导体控制器能使新能源汽车实现更长的续航里程、更短的充电时间、更高的电池电压。 与二代硅基IGBT相比,半导体碳化硅（SiC）750V时能效增加8-12%,总损耗减少约1/7,模块体积仅为IGBT的1/5左右,开关频率为IGBT的5-10倍。
2023年10月10日 · 碳化硅是一种宽带隙半导体,因其具有高耐压、高功率密度、低导通电阻和优秀的热传导性,从而在功率电子领域占据着中心地位。 这些特性都非常适合EV充电桩内的许多功能。
2020年7月24日 · 碳化硅 SiC 具有更快的开关速度、更低的死区时间、更小的压降和输出电容,从而使相电压畸变更低、带宽更高。 与硅 Si 基所能实现的相比,除了在逆变器层面的效益外,碳化硅 SiC 基 MOSFET 的设计还会影响电机驱动系统的动态性能特性,例如可提供更快
2024年11月22日 · 安森美的全方位碳化硅半桥功率集成模块（PIM）非常适合电动汽车直流充电桩的设计,它能够降低热阻和寄生电感,并具备易于安装的封装和规格,有助于实现更高的系统运行效率和功率密度。
2023年8月7日 · 近年来多家车企已开始全方位面采用碳化硅功率模块,特斯拉的 Model 3 和 Model Y、比亚迪的汉、蔚来的 ET5 和 ET7、小鹏的 G9 和 G6 等车型相继量产碳化硅电机控制器,整车的续航里程与加速性能都得到了显著的提升。
2024年8月1日 · 近年来多家车企已开始全方位面采用碳化硅功率模块,特斯拉的Model 3和Model Y、比亚迪的汉、蔚来的ET5和ET7、小鹏的G9和G6等车型相继量产碳化硅电机控制器,整车的续航里程与加速性能都得到了显著的提升。
2022年6月9日 · 尽管碳化硅器件成本较高,但它推进了电池成本的下降和续航里程的提升,降低了单车成本,无疑是新能源汽车最高佳选择。 其中,SiC SBD、SiC MOSFET 器件主要应用于OBC 与DC/DC,SiC MOSFET主要用于电驱动。
2024年11月18日 · 安森美的全方位碳化硅半桥功率集成模块（PIM）非常适合电动汽车直流充电桩的设计,它能够降低热阻和寄生电感,并具备易于安装的封装和规格,有助于实现更高的系统运行效率和功率密度。
2023年5月24日 · 随着对电动汽车（EV）需求的持续增长,制造商正在比较两种半导体技术,即碳化硅和硅,用于电力电子应用。碳化硅（SiC）具有耐高温、低功耗、刚性,并支持EV电力电子设备所需
2024年10月23日 · 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,它突破硅基半导体材料物理限制,成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优