2024年12月7日,锐立平芯微电子（广州）有限责任公司宣布,其最高新专利——"一种高平坦度的下极板的MIM电容及其制造方法"正式获得国家知识产权局的授权。
2024年7月26日 · 本公开涉及半导体领域,特别是涉及一种极板电容器及其制造方法、半导体结构。 背景技术： 1、极板电容器,亦被称为金属-绝缘体-金属（metal-insulator-metal,简称mim）电容器。
2022年12月13日 · 本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法,应用于半导体技术领域。 具体的,其是先形成作为MIM电容器的上下极板的金属层,然后,再在该金属层中利用一步刻蚀工艺形成在X‑Y平面上以中心为同心轴,从内向外径长依次呈增大式分布的三维多层次同心
2022年12月13日 · 本专利由上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请,2023-05-02公开,本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法,应用于半导体技术领域。 具体的,其是先形成作为MIM电容器的上下极板的金属层,然后,再在该金属层中利用一步刻蚀工艺形成在X‑Y
一种具有一个或多个垂直极板电容器的集成电路(IC)芯片以及制造该芯片电容器的方法,每个垂直极板电容器被连接到IC芯片上的电路.垂直极板电容器形成有在电路层上的底极板图形(例如镶嵌铜)以及至少一个上极板层(例如双镶嵌铜),该上极板层在底极板图形上方
最高重要的是,大多数电容器都需要极薄的极板,以便以小封装形式封装最高大的电容。 制造商使用易延展的金属从箔片制造薄板。 这些材料还必须廉价并且具有良好的可用性以适合大规模生产。
2024年4月17日 · 本公开实施例提供了一种极板电容器及其制造方法、半导体结构。 该极板电容器,包括：在第一名方向上相对设置的第一名极板和第二极板,以及设置于所述第一名极板和所述第二极板之间的介质层；所述介质层包括沿所述第一名方向层叠的第一名子层、第二子层
2023年5月5日 · 1、本发明的目的在于提供一种mim电容器及其制造方法,以解决现有技术中采用三步薄膜沉积工艺形成mim电容器,导致的工艺步骤繁琐、耗时多、器件制造成本高以及硅片的单位体面积利用率低的问题。
2024年7月25日 · 本公开实施例提供了一种极板电容器及其制造方法、半导体结构。该极板电容器,包括：在第一名方向上相对设置的第一名极板和第二极板,以及设置于所述第一名极板和所述第二极板之间的介质层；所述介质层包括沿所述第一名方向层叠的第一名子层、第二子层和第三子
2 天之前 · 专利摘要显示,本发明提供一种 MIM 电容器及其制造方法,其下极板与下层金属互连线采用同一层金属层形成,有利于降低芯片的厚度,而且还能利用下极板的立体结构图案中的若干凹陷部和若干凸起部,使 MIM 电容器在所述立体结构图案处呈折叠结构,由此与常规的平面 MIM 电容器结构相比,相同总