2014年4月22日 · 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、
2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱
2020年9月3日 · 极管对入射光波长为400nm 至1050 nm的光谱响应。分析了硅光电二极管的光谱响应的影响条件和硅 光电二极管的光谱响应规律。在测光电路中采用不同的负载电阻和偏置电压
该文利用硅光电池作为光电探测器件,研究了不同颜色的光对可见光通信质量的影响问题,同时结合实验特性,将电平比较电路引入实验中,用于恢复硅光电池响应输出的失真波形。
2023年9月4日 · 硅光电池的频率特性较好,工作频率的上限约为数万赫兹,而硒光电池的频率特性较差。在调制频率较高的场合,应采用硅光电池,并选择面积较小的硅光电池和较小的负载电阻,进一步减小响应时间,改善频率特性。
2013年6月30日 · 光照时硅光电池的I-V 特性,由此可知,硅光 图2 硅光电池的伏安特性 电池的伏安特性曲线相当于把p-n 结的伏安特性曲线向 下平移,它在横轴与纵轴的截距分别给出了VOC 和ISC 。 实验表明：在V =0 情况下,当硅光电池外接负载电阻RL,其输出电压和电流均R
2014年4月22日 · 实验S-3-5 硅光电池特性的研究 实验 S-3-5 硅光电池特性的研究与应用 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、性能
硅光电池的光谱响应。 图 3 为硅光电池的光谱特性曲线。 即相对灵敏度 Kr 和入射光波长 的关系曲线。从图 3 中可看出,硅光电池的有效范围 约在 450—1100 nm 之间。实验室给出六种不同的滤色片,透过各滤色片光的波长见表 1。 1.
2007年9月11日 · PDF | 采用溴钨灯作为光源,运用光栅单色仪选择不同频率的光照射硅太阳能电池,测得了不同波长光照时的短路电流,通过与入射光强和光子能量相除
1. 请利用硅光电池的伏安特性实验数据分析总结硅光电池的输出电阻与光照的关系。 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载 R 时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它 的伏安特性见图 2。由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分
2005年7月23日 · 图1 硅光电池的光照特性曲线 硅光电池开路电压与照度特性见图1． 2．硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载R 时,硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态．它 的伏安特性见图2．图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：
式(4)中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长,在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg,以确保处于介带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带,对于硅光电池其长波
2024年8月12日 · 中在缺陷的性质和对材料特性的影响,以及激光对 硅光电池响应输出的干扰,直接针对点缺陷对硅光 电池响应特性影响的研究尚不充分。本文旨在研究 硅光电池中常见的点缺陷对其响应特性的影响。由 于空位和金属杂质等点缺陷会对能级分布产生影
2018年7月6日 · 实验原理：硅光电池的照度特性 硅光电池是属于一种有PN结的单结光电池。它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成。 ... 入射光照射讯号需要先改变载流子的分布,再改变硅光电池的输出,这个光电过程是需要反应时间的
如图4-4所示,不同的光照的作用下, 电压表如显示不同的电压值。在不同的光照作用下,硅光电池开路时的电压也不同,即为硅光电池的开路电压特性。 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个
摘要：利用硅光电池作为可见光通信中的光电探测器件,基于载流子的运动模型,分析了不同波长光照射下硅光电池的驰豫特性,通过仿真计算,得到了硅光电池的响应速度与光照波长之间的关系,并通过实验进行了验证。结果表明,在入射光功率一定的情况下,随着入射光波长的增加,硅光电池的响应
2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m
2018年5月23日 · 不同波长的光有不同的响应,图6给出典型的硅光电池光谱响应曲线。 图6硅光电池的光谱响应曲线 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配,以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征
2019年9月26日 · 从曲线可以看出,硅光电池有很高的频率响应,可用在高速计数、有声电影方面。这是硅光电池在所有光电元件中最高为突出的优点。 4）光电池的温度特性 光电池的温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化
2021年1月15日 · 文章浏览阅读8.8k次,点赞3次,收藏23次。光电池和光电二极管的区别 光电池概述 光电池（photovoltaic cell,注意photocell一般指光敏电阻）,是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。它是是能在光的照射下产生电动势的元件。用于光电转换、光电探测及光能利用等方
2010年4月2日 · 一般光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下,光电池所产生短路电 流与入射光波长之间的关系。 一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围
2024年8月2日 · 以硅基光电池为研究对象,针对重频激光辐照对器件响应特性产生的干扰进行分析。 从光伏器件的 光生电动势原理出发,根据响应输出模型以及一维热传导方程,计算了激光辐照
2011年2月3日 · 为实现对硅光电池光谱响应的快速、精确在线测试,开发一种硅光电池光谱响应测试软件系统。该系统采用三光栅单色仪、光源、样品室、精确密锁相放大器、斩波器等作为硬件设备。该系统以VC++ 6.0为开发平台,具有高精确度、高精确度,对外界干扰小等优点。
2010年4月2日 · 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅 光电池光谱特性测试实验 设计实验1：硅光电池光控开关电路设计实验 ... 一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此 所
6、硅光电池时间响应测试实验 下、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1台 1、光电器件和光电技术综合设计平台 1个 2.光源驱动模块 1个 Fra Baidu bibliotek3.负载模块 1套 4、光通路组件 5、硅光电池及封装组件 10根 、2#迭插头对(红色,50cm) 7、2选
2010年4月2日 · 图2-9硅光电池的光谱曲线 (6)时间响应 与频率响应 实验证明,光电器件的信号的产生和消失不能随着光强改变而立刻变化,会有一定的惰 性,这种惰性通常用时间常数表示。即当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后,光电
硅光电池的频率特性较好,工作频率的上限约为 数万赫兹,而硒光电池的频率特性较差。在调制频率较高的场合,应采用硅光电池,并选择 面积较小的硅光电池和较小的负载电阻,进一步减小响应时间,改善频率特性。 本文主要研究的是它的频率特性。
2010年4月2日 · 6、硅光电池时间响应 测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1：硅光电池光控开关电路设计实验 ... 一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此 所
2017年10月23日 · 光电池的偏置电路与特性参数测量实验 4 内容： 硅光电池在不同偏置状态下的基本特性；测试硅光电池在不同偏置状态下的典型特性参数；测量硅光电池在反向偏置下的时间响应；要求： 学习掌握硅光电池 3 种偏置电路；掌握在 3 种偏置电路下的不同特性。16