2018年7月6日 · 此电流方向从P区到N区,与光生电流相反,因此实际获得电流I为式中V为结电压,为二极管反向饱和电流,是与入射光的强度成正比的光生电流,其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关。
2018年7月6日 · 硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最高大值。 实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能
硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
2022年5月20日 · 硅光电池负载上 的电压降 U 和通过 的电流之积称为硅光电池的输出功率 P。 输出功率达到最高大值 时的负载电阻 称为最高佳负载电阻,此时能量转换效率最高高,且 随光强而变化。
2013年6月30日 · 实验表明：在V =0 情况下,当硅光电池外接负载电阻RL,其输出电压和电流均随RL 变 化而变化。 只有当 R L 取某一定值时输出功率才能达到最高大值 P m,即所谓最高佳匹配阻值
2018年1月24日 · 硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
硅光电池是一个大面积的光电二极管,其基本结构如上图所示,当半导体PN结处于零偏或负偏时,在它们的结合面耗尽区存在一内电场。 当没有光照射时,光电二极管相当于普通的二极管。 其伏安特性是. 式 (1)中I为流过二极管的总电流,Is为反向饱和电流,e为电子电荷,k为玻耳兹曼常量,T为工作绝对温度,V为加在二极管两端的电压。 对于外加正向电压,I随V指数增长,称为
2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
2022年3月30日 · 所激发的少数载流子才会引起光伏效应,即硅光电池正常工作；若正偏,则P-N 结导通,此时耗尽区变窄,扩散 运动大于飘逸运动,硅光电池便无法正常工作输出电压。