2019年5月6日 · 1、硅导电,硅的电导率与其温度有很大关系,随着温度升高,电导率增大,在1480℃左右达到最高大,而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。 2、半导体（ semiconductor）,指常温下
2013年9月20日 · 晶体硅的导电性介于导体和绝缘体之间, 属于半导体,导电性很弱。 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。
常用的太阳能电池是硅电池。 如果在1平方米面积上铺满硅 太阳电池,就可以得到100W电力。 单晶硅太阳能电池 的性能稳定, 转换效率 高,体积小,重量轻,很适合作太空航天器上的电源。
2023年2月8日 · 作为 半导体材料,硅具有典型的半导体材料的电学性质. (1)阻率特性 硅材料的电阻率在10-5~1010Ωcm之间,介于 导体和绝缘体 之间,高纯未掺杂的无缺陷的晶体硅材料称为 本征半导体,电阻率在10Ωcm以上.
2015年10月13日 · 半导体是一种具有特殊导电性能的功能材料,其电阻 率介于10-4到1010欧姆 厘米之间,介于金属导体和绝缘 体之间。半导体的导电性质可以随着材料的纯度、温度 及其它外界条件（如光照）的不同而变化。
硅的导电特性可以通过其电阻率来刻画,电阻率是指单位长度和单位截面积的硅材料内导电电流的阻力。 硅的电阻率与掺杂浓度密切相关,掺杂浓度越高,电阻率越小,导电能力越强。
本文将详细介绍硅的导电率的种类、含义、计算方法及其应用。 硅的导电率表示了单位时间内通过其内部的电流的电量。 它可以反映从硅的一个端点到另一个端点的电流流动能力。 导电率的单位是西门子每米 (S/m)或者毫西门子每米 (mS/m),它代表了每米பைடு நூலகம்度的电阻值的倒数。 硅的导电率主要分为两种：n型硅和p型硅。 n型硅导电率比p型硅高,因为它的电导率
2020年3月1日 · NIST的THz测量方法是一种快速、非接触式的电导率测量方法,它依赖于两种光。 首先,超短的可见光脉冲在样品中产生自由移动的电子和空穴,这一过程被称为硅的"光掺杂"。 然后,THz脉冲,其波长比人眼所能看到的要长得多,在远红外线到微波的范围内,照射在样品上。 与可见光不同,THz光甚至可以穿透不透明的材料,如硅半导体样品。 光穿透或被样品吸收的
2012年4月8日 · 硅的导电性介于导体和绝缘体之间,可以导电,但导电性远不如其他导体,银、铜、铁、酸、碱、盐； 但是导电性相对大于绝缘体,例如有机材料,塑料、橡胶、树脂等物质。
原理：半导体pn结的光生伏特别有效应 物体受阳光照射时,体内电荷分布发生变化而产生电势和电 流的效应 气体、液体、固体中均可产生 固体中,尤其是半导体中,光能转变为电能的效率最高高。 半导体电池发电过程： 吸收太阳光,照射在太阳能电池表面 太阳能电池吸收具有一定能量的光子,激发非平衡载流子 （电子-空穴对） 光生载流子在pn结内部电场的作用下,电子-空穴对被分