村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。 村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属）。
硅电容器简介： 硅电容器是一种利用薄膜半导体技术,即使在电压和温度发生变化时,电容量也能保持稳定的小而薄的电容器。 另外,由于不具有压电效应,所以电压发生变化不会引发啸叫。
2024年1月21日 · 硅电容器,简称Si-Cap,是指以硅材料为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器。 电容器还包括陶瓷电容、铝电解电容、钽电容、薄膜电容等传统品类,其中陶瓷电容是当下市场应用覆盖最高广、成熟度最高高的电容器,市场占比约59%,具有高频率、低阻抗
2023年9月19日 · 当前硅电容器所采用的主流半导体技术莫过于深沟式（Deep Trench）技术,例如美商予力半导体（Empower Semiconductor）推出E-Cap知名品牌硅电容器便采用深沟技术。不过,爱普科技（AP Memory）新推IPD硅电容器产品线以自家擅长的3D DRAM堆叠技术
2022年6月17日 · 随着电子信息产业的快速发展,电子计算机、移动终端、智能穿戴等通讯设备越来越小型化和多功能化,为了满足需求,多层陶瓷电容器(MLCC)也在不断向小型化、高容量的方向发展。
2022年10月26日 · 电容器是在半导体器件中用于存储电荷的元件。 电容器包括由绝缘材料分隔的两个导电板。 电容器用于诸如电子滤波器、模数转换器、存储器件、控制应用的应用中,以及很多其它类型的半导体器件应用中。
2024年3月6日 · 上一篇分享了村田使用的硅电容技术主要就是半导体的MOS技术,再加上了3D技术以及干法刻蚀技术的Bosch工艺来提升电容密度。 前面文章也提到过,目前主要批量的硅电容厂家,主要有村田和台积电。
2024年9月25日 · 电容器是一种用来存储电荷的被动元件,其基本结构由两个金属电极之间的电介质组成。主要类型包括陶瓷电容器、薄膜电容器和电解电容器等,每种类型根据其特性和用途有不同的设计和制造方法。
2020年12月1日 · 本发明属于半导体集成电路设计制造领域,特别是涉及一种半导体电容器及其制作方法。 背景技术： 目前,三维硅基电容器的电容密度可达到1.5uf/mm 2 左右,与传统的片式多层陶瓷电容器mlcc相当。
2020年6月9日 · 本发明涉及半导体电容制造工艺,特别涉及电容器器件的构造及制造工艺。 背景技术： 利用半球状多晶硅hsg (hemisphericalgrain)技术提升电容量的工艺曾经占有相当重要的地位,然而随著双层电容工艺与高介电常数材料的普及化,以及电容截面尺寸微缩的大趋势,这种利用表面粗糙化增加电容表面积的hsg技术逐渐遭到淘汰。 晶须结构 (whisker),在电机产品工艺中