大面积低温p-Si膜与-Si组成 叠层电池 结构,是提高a-S 光电池 稳定性和 转换效率 的重要途径,可更充分利用 太阳光谱,理论计算表明其效率可在28%以上,将使 硅 基薄膜光电池性能产生突破性进展。
2012年2月24日 · 如果输出负压,可能的原因包括：硅光电池损坏、硅光电池没有光照,实际电路接法错误（包括硅光电池接反）,测量表笔接反。 使用特权 评论 回复 赏
2018年3月5日 · 硅光电池内部结构如图1所示,主要由两部分组成：n型硅基片层和p型硅受光层。 根据pn结原理,当光照在p型硅表面,且光子能量大于材料的禁带宽度时,在pn结内产生 电子 -空穴对。
2018年7月6日 · 此电流方向从P区到N区,与光生电流相反,因此实际获得电流I为式中V为结电压,为二极管反向饱和电流,是与入射光的强度成正比的光生电流,其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关。
2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
2018年1月24日 · 当硅光电池接人负载后,光电流从P区经负载流至NE,负载中即得到功率输出。 如图所示,用两个性能相近的硅光电池作光接受器件,当入射光通量相同时Vo=0,行机构按预定的方式工作。 当光路系统略有偏差时,两个硅光电池接收到的光通量发生变化,此时Vo≠0,这一差动输出 信号 经过放大即可带动执行机构（例如微型 电机）对系统状态进行纠正,直到Vo=0为
2022年5月20日 · 硅光电池负载上 的电压降 U 和通过 的电流之积称为硅光电池的输出功率 P。 输出功率达到最高大值 时的负载电阻 称为最高佳负载电阻,此时能量转换效率最高高,且 随光强而变化。
2012年5月17日 · 光生电子被拉向N区,光生空穴被拉向P区,即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累,在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。
2018年6月3日 · 硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时,将产生一个由 N 区流向 P 区的光生电流I ph,同时由于 PN 结二极管的特性,存在正向二极管管电流I D 。
2018年7月6日 · 硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最高大值。 实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能