2021年11月18日 · 本研究采用射频磁控溅射法沉积NiO x薄膜, 与c-Si制成无背场单面异质结NiOx/c-Si(n)电池, 目的是使 问题简化, 重点研究异质结电池中最高核心的发射结. 通 过测试表征及AFORS-HET软件模拟仿真, 研究空穴传 输层NiOx材料及NiOx/c-Si(n)异质结载流子传输与复合
2022年8月17日 · 研究了功率梯度50W不同厚度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响;其次将该功率梯度法制备的ITO薄膜运用于异质结电池。 结果表明: 1）随着50W条件下ITO薄膜厚度的增加,ITO膜结晶度基本保持不变,透光领先升高后降低,电阻率降低;在溅射功率梯度50W+110W,薄膜厚度10nm+195nm下制备出可见光范围内平均透光率高达88.9％,电阻率低达3.7*10-4Ωcm
常见的 ITO薄膜沉积方法有磁控溅射法,电子束蒸发法,溶胶-凝胶法等。 本文主要研究磁控溅射法制备ITO薄膜的性能及其在HIT太阳电池上的应用,主要分为以下几个方面: (一)研究了磁控溅射法生长ITO过程中对非晶/微晶硅衬底产生的影响和损伤 在溅射的过程中的
2021年9月16日 · 这种全方位新的的合成方法开辟了一种新的、有前景的方法,以实现高通量磁控溅射,以实现平面异质结和串联 PSC 商业应用中的大面积生产。 Organic–inorganic halide perovskites have been widely used in photovoltaic technologies. Despite tremendous progress in their efficiency and stability, perovskite solar cells (PSCs) are still facing the challenges of upscaling
2018年6月1日 · 摘要 在这项研究中,使用射频 (RF) 磁控溅射氧化锡 (SnO2)、铜 (II) 氧化物 (CuO) 和镍制造 (pin) 和 (nip) 配置的平面异质结氧化物太阳能电池 (PHOSC)。 氧化物 (NiO) 分别作为 n 型、吸收层和 p 型层。
2021年9月24日 · 近日,北京大学邹德春教授（通讯作者）提出了一种独特的技术,通过磁控溅射制备了高质量钙钛矿薄膜,实现成分可控,无溶剂,大面积和批量生产。
2015年11月26日 · 本文采用汉能高档装备产业集团自己制造的中频磁控溅射设备,制备 ITO 薄膜并将其应用于异质结太阳电池的前电极,主要阐述了不同沉积温度、氧含量和退火条件等工艺参数对 ITO 薄膜光学、电学性能及其 a-Si/ITO 界面特性和异质结电池性能的影响。
摘要： 薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)电池以其制备工艺简单、低成本、高效率和高稳定性等优势迅速成为国际光伏领域的研究热点。 截至目前,仍然是松下电器（原三洋）引领该电池记录,它在143.7cm2面积上制备出效率高达25.6％的HIT太阳能电池,且电池厚度仅为98μm。
2020年11月22日 · PVD 磁控溅射为现时主流工艺：目前最高常用于沉积 TCO 薄膜的方法是物理气相沉积（PVD）大类下 的磁控溅射（Sputtering）工艺。 此工艺的基本原理是在电磁场的作用下,被加速的气体高能粒子（Ar+） 轰击镀膜靶材,靶材表面的原子获得能量逸出表面后沉积到衬底（已完成非晶硅镀膜的电池片半成 品）表面生成氧化物薄膜。 RPD 工艺亦有应用：在磁控溅射以
2021年3月29日 · 本文采用直流磁控溅射技术,在载玻片衬底上和( 100) 晶面N 型直拉单晶硅片衬底上分别制备了P型a．Si ：H 薄膜材料以及构成H IT太阳能电池基本器件的口．Si ：H ( p+) ／c．Si ( m异质结；采用常规磁控溅射和反应磁控溅射交替沉积,在( 100) 晶面N 型直拉